半导体气体传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN201310681936.0
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2013-12-13
申请人：
苏州纳格光电科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体气体传感器
申请号	CN201310681936.0	申请日期	2013-12-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-02	公开/公告号	CN103698360A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州纳格光电科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼104室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州纳格光电科技有限公司	当前权利人	苏州纳格光电科技有限公司
发明人	张克栋;徐红艳;崔铮
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨林洁

摘要

本发明揭示了一种半导体气体传感器，包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的信号感测电极，所述信号感测电极包括两个导电电极、以及电性连接所述两个导电电极的功能层；设置在所述表面的加热电极，所述加热电极与所述信号感测电极彼此绝缘，所述加热电极环绕所述信号感测电极设置。本发明提供的半导体气体传感器，通过将加热电极环绕信号感测电极设置，可以保证信号感测电极处于加热电极产生的均匀热场中，加热效果稳定，可以有效地提高传感器的响应速率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN103154714A	2013-06-12	2011-08-25	传感器元件及其制备方法和包括所述传感器元件的传感器装置无效专利	3M创新有限公司
2	CN203630074U	暂无	2013-12-13	半导体气体传感器有效专利	苏州纳格光电科技有限公司
3	CN1158995A	1997-09-10	1996-11-08	气体传感器及其制造方法失效专利	LG电子株式会社
4	CN101762623A	2010-06-30	2010-01-08	一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法失效专利	哈尔滨理工大学
5	JP2001091490A	暂无	1999-09-22	ATMOSPHERE SENSOR失效专利	YAZAKI CORP
6	CN101975804A	2011-02-16	2010-08-20	半导体气体传感器及其温度补偿方法无效专利	郑州炜盛电子科技有限公司
7	CN102778479A	2012-11-14	2011-05-09	可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器有效专利	中国科学院微电子研究所
8	CN102706926A	2012-10-03	2012-06-17	片式氧传感器的敏感元件无效专利	无锡隆盛科技股份有限公司
9	CA1073238A	暂无	1976-03-11	GAS SENSOR WITH INDIUM OXIDE RESISTIVE BASE未知	ITT CANADA
10	CN101148253A	2008-03-26	2006-09-19	一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法失效专利	北京大学

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN104048999A	2014-07-08	2014-07-08	功能区具有粗糙度的半导体气体传感器有效专利	苏州纳格光电科技有限公司
2	CN104569061A	2015-01-26	2015-01-26	金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法有效专利	苏州纳格光电科技有限公司

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