可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN201110117658.7
IPC分类号：G01N27/02;G01N27/414
申请日期：
2011-05-09
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器
申请号	CN201110117658.7	申请日期	2011-05-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-11-14	公开/公告号	CN102778479A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;2;;;G;0;1;N;2;7;/;4;1;4查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3# 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	殷华湘;陈大鹏
代理机构	北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈红

摘要

可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器，本发明提供了一种气体传感器，包括：衬底；加热电极，形成在所述衬底上；信号检测电极，形成在所述衬底上，与所述加热电极共面；气体敏感探测薄膜，形成在所述衬底、所述加热电极以及所述信号检测电极上；其特征在于，所述气体敏感探测薄膜包括非晶态氧化物半导体。依照本发明的气体传感器，由于采用了非晶态半导体作为气体敏感探测薄膜，使得气体传感器可以采用半导体标准制造工艺，降低了成本，提高了器件的均匀性、响应速度，降低了工作温度和功耗，因此可以高效低成本大面积地集成。

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