金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510039862.X
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2015-01-26
申请人：
苏州纳格光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法
申请号	CN201510039862.X	申请日期	2015-01-26
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104569061A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州纳格光电科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼104室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州纳格光电科技有限公司	当前权利人	苏州纳格光电科技有限公司
发明人	张克栋;顾唯兵;王玲;崔铮
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨林洁

摘要

本发明揭示了一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法，该半导体气体传感器包括：基底；加热层；设置于基底上；功能层，设置于基底上且与加热层绝缘，功能层包括彼此电性连接的信号电极和检测层；其中，检测层包括依次形成于基底上的第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层的比表面积小于第二薄膜层的比表面积。本发明提供的半导体气体传感器通过将检测层设置为包括不同比表面积的第一薄膜层和第二薄膜层，比表面积较小的第一薄膜层作为体电阻层以稳定体电阻，防止检测层的体电阻发生漂移，比表面积较大的第二薄膜层作为气体敏感层以检测目标气体，提高了半导体气体传感器的使用寿命，且保证了较高的检测精度。

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