半导体气体传感器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320822801.7
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2013-12-13
申请人：
苏州纳格光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体气体传感器
申请号	CN201320822801.7	申请日期	2013-12-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州纳格光电科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼104室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州纳格光电科技有限公司	当前权利人	苏州纳格光电科技有限公司
发明人	张克栋;徐红艳;崔铮
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨林洁

摘要

本实用新型揭示了一种半导体气体传感器，包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的信号感测电极，所述信号感测电极包括两个导电电极、以及电性连接所述两个导电电极的功能层；设置在所述表面的加热电极，所述加热电极与所述信号感测电极彼此绝缘，所述加热电极环绕所述信号感测电极设置。本实用新型提供的半导体气体传感器，通过将加热电极环绕信号感测电极设置，可以保证信号感测电极处于加热电极产生的均匀热场中，加热效果稳定，可以有效地提高传感器的响应速率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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