一种高纯钼溅射靶材的制备方法

1.一种高纯钼溅射靶材的制备方法，其特征在于其制备过程以十二钼酸铵为原料，通过两段氢气还原的方法制备出高纯钼粉，然后将高纯钼粉经冷等静压压制成钼板生坯，再经真空预烧结、然后在氢气气氛下高温烧结制成高纯钼板坯；最后将烧结好的高纯钼板坯采用先锻造后轧制的压力加工方式加工成钼靶坯，经真空退火后，再按照规定规格机加工成成品钼溅射靶材。
2.根据权利要求1所述的一种高纯钼溅射靶材的制备方法，其特征在于所述的十二钼酸铵原料中K含量为2～5ppm，Fe含量为3-7ppm，Ni含量小于等于2ppm，晶体呈规则的六棱柱状，大小均匀，无团聚。
3.根据权利要求1所述的一种高纯钼溅射靶材的制备方法，其特征在于所述的氢还原方法制备高纯钼粉的过程中，舟皿采用钼舟，还原炉管内表面镶嵌钼衬套；还原出的钼粉的纯度大于等于99.99wt％。
4.根据权利要求1所述的一种高纯钼溅射靶材的制备方法，其特征在于所述的通过两段氢气还原的方法制备出的高纯钼粉经冷等静压压制制成钼板生坯时，压制压力为180～
200MPa，保压时间10～20分钟。
5.根据权利要求1所述的一种高纯钼溅射靶材的制备方法，其特征在于所述的钼板生坯在经真空预烧结、然后在氢气气氛下高温烧结制成高纯钼板坯的过程中，真空预烧温度-3
为1200℃～1400℃，真空度大于等于10 Pa，保温时间1～2小时；氢气气氛下高温烧结温度为1820℃～1980℃，保温时间6～8小时。
6.根据权利要求1所述的一种高纯钼溅射靶材的制备方法，其特征在于所述的加工成钼靶坯过程的高纯钼板坯压力加工成钼靶坯的总变形量为70％～90％，其中锻造加工的变形量为30％-50％，轧制加工的变形量为40％～60％，轧制方式为单向轧制。
7.根据权利要求1所述的一种高纯钼溅射靶材的制备方法，其特征在于其加工成的钼-3
靶坯真空退火的退火温度为1000℃～1150℃，真空度大于等于10 Pa，保温时间1～1.5小时。
8.根据权利要求1所述的制备高纯钼溅射靶材的方法，其特征在于制备出的成品钼溅射靶材的相对密度为99％～99.9％，纯度大于等于99.995wt％，C含量小于10ppm，O含量小于10ppm，K含量为3-8ppm。钼溅射靶材晶粒大小均匀，平均晶粒度为50μm～100μm，结晶取向以{100}<011>为优先织构取向。

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