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薄膜太阳能电池用高纯钼靶的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110036001.8
  • IPC分类号:C23C14/34;H01L31/18
  • 申请日期:
    2011-02-11
  • 申请人:
    韩伟东
著录项信息
专利名称薄膜太阳能电池用高纯钼靶的制备方法
申请号CN201110036001.8申请日期2011-02-11
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-07-20公开/公告号CN102127741A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/34IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人韩伟东申请人地址
陕西省宝鸡市渭滨区马营镇永清工业园25号宝鸡市博信金属材料有限公司 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人韩伟东当前权利人韩伟东
发明人韩伟东;王玉华;孟勇;韩寅奔
代理机构宝鸡市新发明专利事务所代理人席树文
摘要
本发明目的是提供一种薄膜太阳能电池用高纯钼靶制备方法,以提高太阳能电池的质量。工艺流程为:原料钼酸铵→焙烧制备Mo3→通入高纯氢气在温度450-600℃一次还原成Mo2→再次通入高纯氢气在温度为950-1050℃二次还原成Mo→混料→筛分→等静压成型→经过多次充放高纯氢气后中频感应炉烧结,烧结温度1950-2000℃→大功率电子束熔炼提纯→1400-1450℃锻造→1350-1450℃热轧→900-1000℃热处理退火→机械加工→超声波清洗→钎焊靶托→性能测试及检验。本发明优点是薄膜太阳能电池用高纯钼靶具有高纯度、高密度和良好的均匀性的特点,极大提高了溅射靶材的利用率,应用于太阳能电池行业具有很高的价值。

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