薄膜太阳能电池用高纯钼靶及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010139101.9
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/14;C22C27/04;B22F9/22;B22F3/16
申请日期：
2010-04-06
申请人：
韩伟东

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著录项信息

专利名称	薄膜太阳能电池用高纯钼靶及其制备方法
申请号	CN201010139101.9	申请日期	2010-04-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-08-04	公开/公告号	CN101792897A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;1;4;;;C;2;2;C;2;7;/;0;4;;;B;2;2;F;9;/;2;2;;;B;2;2;F;3;/;1;6查看分类表>
申请人	韩伟东	申请人地址	陕西省宝鸡市马营镇永清工业园25号宝鸡市博信金属材料有限公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	韩伟东	当前权利人	韩伟东
发明人	王玉华;孟勇;张慧茹;韩伟东
代理机构	宝鸡市新发明专利事务所	代理人	席树文

摘要

本发明目的是提供一种薄膜太阳能电池用高纯钼靶及其制备方法，以提高太阳能电池的质量。薄膜太阳能电池用高纯钼靶，其是采用纯度≥99.97％，密度大于10.18g/cm3，尤其是杂质氧含量≤0.004％的钼板制成。其是按照如下步骤实现：制备高纯度三氧化钼，首先采用高纯氢气在550-600℃进行一次还原；然后在950-1000℃二次还原；还原后依次通过混料、筛分、等静压成型；然后在1950-2000℃下中频感应烧结；再在1400-1450℃热锻；1350-1400℃热轧；最后通过机械加到规定规格，检验即可。本发明优点是薄膜太阳能电池用高纯钼靶具有高纯度、高密度和良好的均匀性的特点，极大提高了溅射靶材的利用率，应用于太阳能电池行业具有很高的价值。

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