钼溅射靶

发明专利有效专利

申请号：
CN200580037265.8
IPC分类号：C22C27/04;B22F3/14;C23C14/34
申请日期：
2005-08-29
申请人：
H.C.施塔克公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	钼溅射靶
申请号	CN200580037265.8	申请日期	2005-08-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-17	公开/公告号	CN101057000
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22C27/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22C 合金（合金的处理入C21D、C22F） C22C27/00 铼或未包括在C22C 14/00或C22C 16/00组中的难熔金属基合金〔2〕 C22C27/04 钨或钼基合金〔2〕	IPC分类号	C;2;2;C;2;7;/;0;4;;;B;2;2;F;3;/;1;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人	H.C.施塔克公司	申请人地址	美国麻萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	H.C.施塔克公司	当前权利人	H.C.施塔克公司
发明人	B·勒蒙;J·希尔特;T·威维林;J·G·戴利三世;D·米恩德林;G·罗扎克;J·奥格拉迪;P·R·杰普森;P·库马;S·A·米勒;吴荣祯;D·G·施沃茨
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吕彩霞;李连涛

摘要

特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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