具有低k介质埋层的SOI结构及其功率器件

1、具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，包括衬底层(1)、埋层，即介质层(2)、介 质隔离区(4)、有源层，即S层(3)，其特征是，所述介质层(2)由介质层(15)和介质层 (16)两部分组成，介质层(2)一侧与衬底(1)相连，另一侧与有源层(3)相连；所述介 质层(2)两端与介质隔离区(4)相连；所述介质层(15)的介电系数在1-3.9之间。
2、根据权利要求1所述的具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，其特征是，介质层(2) 中所述介质层(15)和介质层(16)可采用两种不同的介质材料，其中，介质层(15)为低 k介质材料，介质层(16)可为低k介质材料，也可为SiO2或高k介质材料，如Si3N4；这样 的SOI器件结构可称为可变低k介质埋层SOI功率器件结构。
3、根据权利要求2所述的具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，其特征是，介质层(2) 中所述介质层(15)和介质层(16)的相对长度可以改变。
4、根据权利要求1所述的具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，其特征是，介质层(2) 中所述介质层(15)和介质层(16)可以采用同一种低k介质；这样的SOI器件结构可称为 低k介质埋层SOI功率器件结构。
5、根据权利要求2所述的具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，其特征是，介质层(2) 中所述介质层(15)和介质层(16)可以仅位于电场强度高的漂移区和电极端下方，形成部 分隔离SOI结构；这样的SOI器件结构可称为可变低k介质埋层PSOI功率器件结构。
6、根据权利要求4所述的具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，其特征是，介质层(2) 中所述介质层(15)和介质层(16)可以采用同一种低k介质，且仅位于电场强度高的漂移 区和电极端下方；这样的SOI器件结构可称为低k介质埋层PSOI功率器件结构。
7、根据权利要求1所述的具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，其特征是，组成介质 层(2)的低k介质材料可以是无机低k材料，也可以是掺氟低k材料，还可以是纳米低k材 料。
8、根据权利要求1所述的具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，其特征是，构成S 层(3)的材料可以是硅、碳化硅、砷化镓或锗硅，其导电类型可以是n型或p型。
9、根据权利要求1所述的具有低k介质埋层的SOI功率器件结构，其介质埋层(2)的 厚度在深亚微米到几微米之间。
10、具有低k介质埋层的SOI功率器件，包括通常功率器件的所有结构组成部分，其特 征是，它还具有权利要求2、4、5或6所述的低介电系数介质埋层的SOI功率器件结构，这 样的器件包括：VLk SOI LDMOS器件、Lk SOI LDMOS器件、VLk PSOI LDMOS器件、Lk PSOI LDMOS器，VLk SOI IGBT、Lk SOI IGBT、VLk PSOI IGBT、Lk PSOI IGBT，VLk SOI PN 结二极管、Lk SOI PN结二极管、VLk PSOI PN结二极管、Lk PSOI PN结二极管，VLk SOI横 向晶闸管、Lk SOI横向晶闸管、VLk PSOI横向晶闸管、Lk PSOI横向晶闸管。

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