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集成MOSFET的IGBT器件及制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210513152.2
IPC分类号：H01L27/06;H01L21/8232
申请日期：
2012-12-04
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	集成MOSFET的IGBT器件及制造方法
申请号	CN201210513152.2	申请日期	2012-12-04
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-11	公开/公告号	CN103855154A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/06 在非重复结构中包括有多个单个组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;2查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	李东升;胡晓明
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种集成MOSFET的IGBT器件，将IGBT器件以及IGBT的栅驱动MOSFET集成在一起，使IGBT自身集成栅驱动能力；IGBT与栅驱动MOSFET两者之间进行有效隔离，不产生漏电通路。本发明还公开了所述器件的制造方法，将MOSFET工艺和IGBT工艺有机结合起来，通过一套版和一套工艺就能实现智能绝缘栅双极晶体管的制造。

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