半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN201310745388.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/762;H01L29/06
申请日期：
2013-12-31
申请人：
上海新傲科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管
申请号	CN201310745388.3	申请日期	2013-12-31
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-30	公开/公告号	CN103762156A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	上海新傲科技股份有限公司	申请人地址	上海市嘉定区普惠路200号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新傲科技股份有限公司	当前权利人	上海新傲科技股份有限公司
发明人	魏星;王中健;狄增峰;方子韦
代理机构	上海翼胜专利商标事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤;翟羽

摘要

本发明提供了一种半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管，所述高压晶体管制作在带有绝缘层的半导体衬底的表面，所述半导体衬底包括支撑衬底、支撑衬底表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层，所述高压晶体管形成在器件层的表面，所述支撑衬底中包括一辅助耗尽层，所述辅助耗尽层由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成。本发明的优点在于，通过在支撑衬底中设置由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成的辅助耗尽层，可以有效地抑制衬底辅助耗尽效应，提高器件耐压能力。

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