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具有复合低K电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510367028.3
  • IPC分类号:H01L29/772;H01L29/06
  • 申请日期:
    2015-06-29
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称具有复合低K电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应管
申请号CN201510367028.3申请日期2015-06-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-10-21公开/公告号CN104992971A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/772
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人杜江锋;刘东;白智元;潘沛霖;于奇
代理机构成都君合集专利代理事务所(普通合伙)代理人廖曾
摘要
本发明公开了具有复合低K电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应管,从上至下主要由势垒层、沟道层、n+‑GaN衬底、漏极组成,在所述势垒层上部设有源极和栅极,而在沟道层与n+‑GaN衬底之间设有电流阻挡层、n‑GaN缓冲层,在所述电流阻挡层中心设有宽度为LAP的孔径,该孔径嵌套在n+‑GaN衬底上部;且电流阻挡层由绝缘电介质构成,并在电流阻挡层内设有低K绝缘电介质层。本发明通过在电流阻挡层内引入低K绝缘电介质层,使得本发明的器件击穿电压达到GaN材料耐压极限。此外,本器件结构不存在p型掺杂制作的困难,且绝缘介质对电流的阻挡效果也超过利用p‑GaN对电流进行阻挡,截止状态下漏极泄漏电流也将有所降低。

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