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P型LDMOS器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210236376.3
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2012-07-09
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称P型LDMOS器件及其制造方法
申请号CN201210236376.3申请日期2012-07-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-01-29公开/公告号CN103545363A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人陈瑜;刘剑
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种P型LDMOS器件,包括:一SOI衬底;位于沟道区域的SOI衬底的顶层硅和埋氧化层被去除,在沟道区域中形成有硅外延层,硅外延层中掺入有N型杂质并组成器件的沟道区,沟道区的底部和所述底层硅相接触;顶层硅中形成有器件的P型漂移区;P型漂移区的侧面和沟道区相接触,P型漂移区的底部和埋氧化层接触。本发明还公开了一种P型LDMOS器件的制造方法。本发明能解决P型漂移区与P型衬底之间的隔离问题,提高设定余量,使工艺稳定,还能降低P型漂移区的结深、提高P型漂移区的掺杂浓度以及降低器件的导通电阻,还能减小器件的尺寸。

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