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隔离型N型LDMOS器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210236375.9
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336
  • 申请日期:
    2012-07-09
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称隔离型N型LDMOS器件及其制造方法
申请号CN201210236375.9申请日期2012-07-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-01-29公开/公告号CN103545346A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人陈瑜;刘剑
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种隔离型N型LDMOS器件,包括SOI衬底,包括底层硅、埋氧化层和顶层硅;沟道区形成于顶层硅中,沟道区的底部和底层硅通过埋氧化层隔离;漂移区形成于顶层硅和埋氧化层去除后形成的硅外延层中,漂移区的底部和底层硅相接触。本发明还公开了一种隔离型N型LDMOS器件的制造方法。本发明能彻底消除沟道区与P型衬底之间的穿通问题,能减少N型漂移区的结深、提高N型漂移区的掺杂浓度以及降低器件的导通电阻,还能减小器件的尺寸和寄生电容、提高器件开关速度,并能防止热聚集现象。

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