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一种背接触结构、制备方法及碲化镉薄膜太阳电池

发明专利无效专利

申请号：
CN201611236907.3
IPC分类号：H01L31/0224;H01L31/18
申请日期：
2016-12-28
申请人：
成都中建材光电材料有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种背接触结构、制备方法及碲化镉薄膜太阳电池
申请号	CN201611236907.3	申请日期	2016-12-28
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106784046A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	成都中建材光电材料有限公司	申请人地址	四川省成都市双流区西航港街道腾飞三路485号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都中建材光电材料有限公司	当前权利人	成都中建材光电材料有限公司
发明人	马立云;彭寿;潘锦功;殷新建;蒋猛
代理机构	成都市集智汇华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李华;温黎娟

摘要

本发明公开一种背接触结构，包括依次设置的氧化钼层、钼层和氮化钼层；所述背接触结构能降低与碲化镉的接触势垒，形成欧姆接触，从而提高碲化镉薄膜太阳电池的性能，同时，降低了生产成本。

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