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太阳能电池元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810187542.9
  • IPC分类号:H01L31/06;H01L31/072;H01L31/068;H01L31/0336
  • 申请日期:
    2008-12-25
  • 申请人:
    铼宝科技股份有限公司
著录项信息
专利名称太阳能电池元件
申请号CN200810187542.9申请日期2008-12-25
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2010-06-30公开/公告号CN101764168A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/06
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;3;6查看分类表>
申请人铼宝科技股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人铼宝科技股份有限公司当前权利人铼宝科技股份有限公司
发明人章丰帆;林信志;林信宏;谢季桦;李宗龙
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人陈晨
摘要
本发明揭示一太阳能电池元件,其包含一基板、一金属层、一高阻值膜层、一p型半导体层、一n型半导体层及一透明导电层。该金属层可包含钼金属,且形成于该基板的表面,作为电池的背接触金属层(Back contact metal layer)。该高阻值膜层(例如V2O5)形成于该金属层表面。该p型半导体层形成于该高阻值膜层的表面,可包含铜铟镓硒(CIGS)或铜铟镓硒(CIS)的合金材料。该n型半导体层(例如CdS)形成于该p型半导体层的表面,且与该p型半导体层形成p-n结。透明导电层形成于该n型半导体层的表面。本发明的高阻值膜层可制作的相当薄,即可达到防止电池的正负极发生短路,且工艺简单、迅速,可增加生产效率。

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