一种多元化合物薄膜太阳能电池及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410757423.8
IPC分类号：H01L31/0392;H01L31/18
申请日期：
2014-12-10
申请人：
北京汉能创昱科技有限公司

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专利名称	一种多元化合物薄膜太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201410757423.8	申请日期	2014-12-10
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-06	公开/公告号	CN105742388A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0392 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/036 以其晶体结构或以结晶面的特殊取向为特征的〔5〕 H01L31/0392 包含沉积在金属或绝缘体衬底上的薄膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;9;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	北京汉能创昱科技有限公司	申请人地址	北京市昌平区育知东路30号院1号楼6层3单元611 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东泰高科装备科技有限公司,紫石能源有限公司	当前权利人	东泰高科装备科技有限公司,紫石能源有限公司
发明人	彭东阳
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	彭秀丽;尹学清

摘要

本发明公开了一种多元化合物薄膜太阳能电池，包括衬底和设置于衬底上的背电极、吸收层，背电极和吸收层之间还设有高掺杂层，高掺杂层为p型掺杂的导电层，其与吸收层之间形成背面电场；还提供了一种制备方法，通过磁控溅射方法在衬底上形成背电极；通过磁控溅射或者化学气相沉积的方法在背电极上形成高掺杂层，其中的高掺杂层为p型掺杂的导电层；在高掺杂层上通过磁控溅射、金属源共蒸发的方法形成多元化合物半导体材料吸收层；在吸收层依次形成缓冲层、窗口层和正面电极，制得多元化合物薄膜太阳能电池。本发明通过在背电极和吸收层之间增加p型掺杂的高掺杂层，其与吸收层之间形成背面电场，从而减少吸收层生长时间，提高生产效率。

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