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制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310162449.3
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2013-05-06
  • 申请人:
    王家雄
著录项信息
专利名称制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法
申请号CN201310162449.3申请日期2013-05-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-07-31公开/公告号CN103227243A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人王家雄申请人地址
美国加利福尼亚州丹维尔市太阳流角306号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人王家雄当前权利人王家雄
发明人王家雄
代理机构深圳市金笔知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人胡清方;彭友华
摘要
制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法。(1)、在柔性基板的一侧表面,沉积钼层,以及一层铌附加层;(2)、在铌附加层的表面电镀多层铜、铟、镓和/或硒单元素层,或铜、铟、镓和/或硒之间构成的合金层,和/或单元素层与合金层的混合层;(3)、真空蒸发一层或多层硒,以及一层钠、钾或锂盐;(4)、将已镀有铜铟镓硒多层的基材在惰性气体气氛中,在350摄氏度至750摄氏度的恒定温度下淬火,以获得铜铟镓硒吸收层;(5)、沉积一层硫化镉、硫化铟或硫化锌作为在铜铟镓硒吸收层之上的缓冲层;(6)、真空溅射一层高阻抗透明导电氧化物,然后再溅射一层低阻抗透明导电氧化物于缓冲层的表面作为窗口层。本发明能够被方便地使用于制备高转换率而低成本的铜铟镓硒薄膜太阳能电池。

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