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碲化镉薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110443818.7
  • IPC分类号:H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18
  • 申请日期:
    2011-12-27
  • 申请人:
    无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司
著录项信息
专利名称碲化镉薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法
申请号CN201110443818.7申请日期2011-12-27
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-07-03公开/公告号CN103187457A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0296
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IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司申请人地址
中国江苏省无锡市新区长江南路17-6 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡尚德太阳能电力有限公司,四川尚德太阳能电力有限公司当前权利人无锡尚德太阳能电力有限公司,四川尚德太阳能电力有限公司
发明人杨培;辜琼谊;牛学鹏
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人唐立;王忠忠
摘要
本发明提供一种碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法,属于薄膜太阳电池技术领域。该CdTe薄膜太阳电池的所述碲化镉层上依次形成有铜薄膜层和氮化钼层,所述铜薄膜层和氮化钼层用于形成位于所述背电极层与所述碲化镉层之间的背接触结构。CdTe薄膜太阳电池的制备方法中包括用于形成背接触结构的铜薄膜层沉积步骤和氮化钼层沉积步骤。本发明提供的CdTe薄膜太阳电池具有接触电阻小、转换效率高的特点,并且可以实现低成本地大面积制备背接触结构。

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