背接触层结构及包含其的CdTe太阳能电池

1.一种用于制备CdTe太阳能电池背电极的背接触层结构：所述背接触层结构依次包括：
Cu金属层，所述Cu金属层沉积在经过刻蚀预处理的CdTe薄膜表面；
高功函数过渡金属氧化物层；和
金属背电极层。
2.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中所述刻蚀预处理包括化学刻蚀和干法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中所述Cu金属层的厚度为0.3纳米至10纳米；和/或所述高功函数过渡金属氧化物的厚度为1纳米至100纳米。
4.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中所述过渡金属氧化物层为非晶态薄膜或多晶态薄膜；和/或所述过渡金属氧化物通过物理溅射、热蒸发、化学气相沉积法、物理气相沉积、溶胶-凝胶法或喷涂热解法制备；和/或所述过渡金属氧化物选自MoOx、WOx、VOx、NiOx和TaOx，其中x表示该氧化物是化学计量比或非化学计量比的氧化物。
5.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中所述高功函数过渡金属氧化物的功函数大小与其接触的P型半导体CdTe的功函数的关系为：所述高功函数过渡金属氧化物的功函数等于或大于P型半导体CdTe的功函数减去0.3eV。
6.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中所述金属背电极为功函数稳定的纯金属材料或金属合金材料。
7.根据权利要求1所述的背接触层结构，所述背接触层结构在所述金属背电极层形成之后经历真空退火处理。
8.一种制造背接触层结构的方法，所述方法包括在经过刻蚀预处理的CdTe薄膜表面上依次形成：
Cu金属层；
高功函数过渡金属氧化物层；和
金属背电极层。
9.一种CdTe薄膜太阳能电池，所述CdTe薄膜太阳能电池包括根据权利要求1-8中的任一项所述的背接触层结构。
10.根据权利要求9所述的CdTe薄膜太阳能电池，所述CdTe薄膜太阳能电池包括：
透明衬底；
设置在所述透明衬底上的透明导电前电极；
设置在所述透明导电前电极上的CdS窗口层；
设置在所述CdS窗口层上的作为吸收层的CdTe薄膜；
设置在所述CdTe薄膜上的权利要求1所述的背接触层结构。

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