背接触层结构及其制备方法、包括其的CdTe薄膜太阳能电池

1.一种用于CdTe薄膜太阳能电池的背接触层结构，包括：依次设置在CdTe薄膜上的MoO3背接触缓冲层和金属背电极层。
2.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中，所述MoO3缓冲层的厚度为10-60nm。
3.根据权利要求2所述的背接触层结构，其中，所述MoO3缓冲层的厚度为10-40nm。
4.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中，所述金属背电极层为金属钼(Mo)、镍(Ni)或钨(W)背电极层。
5.根据权利要求4所述的背接触层结构，其中，所述金属背电极层的厚度为
100-500nm。
6.一种制备根据权利要求1-5中任一项所述的背接触层结构的方法，包括：
在氧气和氩气混合气体或纯氩气的气氛下，将金属Mo或MoO3靶材磁控溅射到CdTe薄膜上以形成所述MoO3缓冲层；以及
在氩气气氛中将用于所述金属背电极层的金属靶材磁控溅射到所述MoO3缓冲层上以形成所述金属背电极层。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在形成所述MoO3缓冲层之前，对所述CdTe薄膜的表面进行预处理。
8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在形成所述金属背电极层之后，对所述CdTe薄膜上的所述背接触层结构进行真空退火处理。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述MoO3缓冲层是通过在总压强为0.2-0.5Pa的气氛下预溅射金属Mo或MoO3靶材5-15min后、再溅射生长10-30min而形成的。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的方法，其中，所述方法在单生长室磁控溅射系统或双生长室磁控溅射系统中进行。
11.一种CdTe薄膜太阳能电池，包括根据权利要求1-5中任一项所述的背接触层结构或通过根据权利要求6-10中任一项所述的方法制造的背接触层结构。
12.根据权利要求11所述的CdTe薄膜太阳能电池，包括：
透明衬底；
设置在所述透明衬底上的透明导电前电极；
设置在所述透明导电前电极上的CdS窗口层；
设置在所述CdS窗口层上的作为吸收层的CdTe薄膜；
设置在所述CdTe薄膜上的MoO3缓冲层；以及
设置在所述MoO3缓冲层上的金属背电极层。

暂无