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一种CdTe薄膜制备方法及包含其的CdTe太阳电池

发明专利有效专利

申请号：
CN201510104753.1
IPC分类号：C23C14/08;C23C14/24;H01L31/18
申请日期：
2015-03-10
申请人：
中国科学技术大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种CdTe薄膜制备方法及包含其的CdTe太阳电池
申请号	CN201510104753.1	申请日期	2015-03-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-06-03	公开/公告号	CN104674166A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/08 氧化物（C23C 14/10优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中国科学技术大学	申请人地址	安徽省合肥市包河区金寨路96号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学技术大学	当前权利人	中国科学技术大学
发明人	王德亮;沈凯;白治中
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	刘宇

摘要

本公开提供一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法：所述方法包括，在固态CdTe薄膜的制备过程中，在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层，所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。通过本公开的制备技术，可以得到具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。利用本公开制备的CdTe薄膜光吸收层，可以制备高转换效率的CdTe薄膜太阳电池。

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