1.一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构,所述背接触结构位于碲化镉吸收层和背电
极层之间,其特征在于:所述背接触结构为氮化钼和氧化钼的混合物层,结构为(1-A)氮化钼-A氧化钼, 0
2.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构,其特征在于:所述
氮化钼的结构包含MoN0.46、MoN0.506、MoN、Mo0.82N、Mo0.93N、Mo0.98N、Mo2N、Mo2N0.92、Mo3N2或Mo5N6。
3.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构,其特征在于:所述
氧化钼的结构为MoO2或MoO3。
4.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构,其特征在于:所述
氮化钼和氧化钼的混合物层厚度为30nm—300nm。
5.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构,其特征在于:所述
背接触结构还包括Cu层,在所述碲化镉吸收层上依次形成Cu层、 氮化钼和氧化钼的混合物层。
6.根据权利要求5所述的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构,其特征在于:所述
Cu层厚度为2-20nm。
7.一种碲化镉薄膜太阳电池,其特征在于:包括上述权利要求1至6的任意一项所述
的一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构。
8.一种碲化镉薄膜太阳电池组件,其特征在于:包括上述权利要求成7的一种碲化镉
薄膜太阳电池。
9.制备权利要求1所述碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构的方法,其特征在于:所述
氮化钼和氧化钼的混合物层通过反应溅射的方法进行沉积。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于:所用溅射的方法,使用Ar、N2、O2混合溅
射气体,溅射气压为1.0pa—4pa,使用Mo金属为靶材,衬底温度为室温至400度,以110mm直径圆靶,溅射功率为100w-300w。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:所述Ar、N2、O2三种气体的体积比为:
85~99:1~14:1~14。
12.制备权利要求1所述碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构的方法,其特征在于:所述
氮化钼和氧化钼的混合物层通过电子束热蒸发的方法沉积,在蒸发过程中通入N2、O2混合气体,使用Mo金属作为蒸发源。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于:所述N2、O2气体为任意比例。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于:蒸发源温度2500度—3000度,气压范
-2
围10 Pa—10Pa。
15.根据权利要求9、10、11、12、13或14所述的方法,其特征在于:在沉积氮化钼和氧
化钼的混合物层后进行退火处理,退火温度为100度-300度,退火时间为10-90分钟。
16.制备权利要求5所述碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构的方法,其特征在于:在所
述碲化镉吸收层表面沉积Cu层,在Cu层表面沉积氮化钼和氧化钼的混合物层。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于:在沉积氮化钼和氧化钼的混合物层后,
还要进行退火处理,退火温度为 150度-250度,退火时间为10-90分钟。
18.根据权利要求16所述的方法,其特征在于:所述Cu层的制备方法为电子束热蒸
发、磁控溅射或Cu盐扩散法。
19.根据权利要求16所述的方法,其特征在于:所述沉积氮化钼和氧化钼的混合物层
的方法与上述权利要求9和12相同。