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一种大电流IGBT芯片结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202020457303.7
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/739
  • 申请日期:
    2020-04-01
  • 申请人:
    宜兴杰芯半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种大电流IGBT芯片结构
申请号CN202020457303.7申请日期2020-04-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人宜兴杰芯半导体有限公司申请人地址
江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园新岳路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宜兴杰芯半导体有限公司当前权利人宜兴杰芯半导体有限公司
发明人朱旭强
代理机构北京思创大成知识产权代理有限公司代理人尹慧晶
摘要
本实用新型提供一种大电流IGBT芯片结构,该芯片结构包括位于芯片外周的截止环区和位于芯片正中的栅极焊线区,在截止环区以内、栅极焊线区以外设有能够进行区域划分以形成多个独立发射极焊线区的栅极总线。本实用新型的大电流IGBT芯片,将大面积长距离的传统栅极走线分布优化为多条栅极总线分支的优化分布,大大提供了栅极开关的一致性和均匀性,从而避免了大电流大面积IGBT芯片在实际应用中的电流集中效应,大幅提高了产品的可靠性。

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