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一种具有应变沟道的CMOS器件结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010171859.0
  • IPC分类号:H01L27/092H01L21/8238
  • 申请日期:
    2010-05-07
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称一种具有应变沟道的CMOS器件结构及其形成方法
申请号CN201010171859.0申请日期2010-05-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-10-13公开/公告号CN101859771A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/092IPC分类号H01L27/092;H01L21/8238查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市-8*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人赵梅;梁仁荣;郭磊;王敬;许军
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)代理人廖元秋
摘要
本发明提出一种具有应变沟道的CMOS器件结构及其形成方法。该CMOS结构包括衬底,和形成在衬底之上的NMOS结构和PMOS结构,其中,NMOS结构的源漏区上层中有第一材料应变层,NMOS结构的沟道区下有第二材料应变层,PMOS结构的源漏区上层中有第二材料应变层,PMOS结构的沟道区下有第一材料应变层,其中,第一材料应变层和第二材料应变层是由一次退火形成的。本发明实施例通过一次退火同时在NMOS器件和PMOS器件的沟道区及源漏区同时引入所需要的应变,不仅能够提高载流子迁移率,改善CMOS器件的性能,还可以节省制造成本。

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