首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

具有改良金属布线的半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200610142115.X
IPC分类号：H01L23/522;H01L21/768
申请日期：
2006-10-08
申请人：
恩益禧电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有改良金属布线的半导体器件
申请号	CN200610142115.X	申请日期	2006-10-08
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2007-04-11	公开/公告号	CN1945824
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	恩益禧电子股份有限公司	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	齐藤和美
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	孙志湧;陆锦华

摘要

一种半导体器件，包括：半导体衬底、层间绝缘膜、钨膜、第一阻挡金属膜、第二阻挡金属膜以及金属布线膜。层间绝缘膜形成在半导体衬底上，并且具有开口。钨膜被嵌入在开口中。第一阻挡金属膜形成在钨膜上，并且不包括Ti膜。第二阻挡金属膜形成在第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜。金属布线膜形成在第二阻挡金属膜上。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供