多层金属布线的形成方法

1.多层金属布线的形成方法，其中包括：
在半导体基片上形成用铝或铝合金形成的第一层金属布线 的第1道工序、
在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上在500℃以下 的温度下形成层间绝缘膜的第2道工序、
在上述在500℃以下温度下形成的层间绝缘膜上形成具有憎 水性分子层的第3道工序、
将形成上述分子层的层间绝缘膜经过刻蚀形成所要求的形状 的第4道工序、以及
在上述经过刻蚀的层间绝缘膜上形成第二层金属布线的第5 道工序。
2.如权利要求1的多层金属布线的形成方法，其中：
上述分子层采用甲硅烷化反应形成。
3.如权利要求1的多层金属布线的形成方法，其中：
上述分子层采用界面活性剂形成。
4.如权利要求3的多层金属布线的形成方法，其中：
上述界面活性剂含有硅或锗。
5.如权利要求3的多层金属布线的形成方法，其中：
上述界面活性剂是：硅烷化合物、硅氧烷化合物、二硅氮烷化 合物、三硅氮烷化合物、哌嗪化合物、氨基锗化合物、或卤化锗化合 物。
6.如权利要求1的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第2道工序和上述第3道工序之间进一步备有把形成 了上述层间绝缘膜的半导体基片在500℃以下的温度下加热，将 上述层间绝缘膜内部的水分除去的工序。
7.如权利要求1的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第2道工序中采用CVD法将有机硅烷系列材料淀积 在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上，从而形成层间绝 缘膜的工序。
8.如权利要求1的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第2道工序中采用液体涂布法，将硅烷醇系列材料涂 布在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上，从而形成层间 绝缘膜的工序。
9.多层金属布线的形成方法，其特征是包括：
在半导体基片上用铝或铝合金形成的第一层金属布线的第1 道工序、
在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上在500℃以下 的温度下形成层间绝缘膜的第2道工序、
将上述在500℃以下的温度下形成的层间绝缘膜经过刻蚀形 成所要求的形状的第3道工序、
在上述经过刻蚀的层间绝缘膜上形成具有憎水性分子层的第 4道工序、以及
在上述分子层上形成第二层金属布线的第5道工序。
10.如权利要求9的多层金属布线的形成方法，其中：
上述分子层采用甲硅烷化反应形成。
11.如权利要求9的多层金属布线的形成方法，其中：
上述分子层采用界面活性剂形成。
12.如权利要求11的多层金属布线的形成方法，其中：
上述界面活性剂含有硅或锗。
13.如权利要求11的多层金属布线的形成方法，其中：
上述界面活性剂是：硅烷化合物、硅氧烷化合物、二硅氮烷化 合物、三硅氮烷化合物、哌嗪化合物、氨基锗化合物、或卤化锗化合 物。
14.如权利要求9的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第2道工序和上述第3道工序之间进一步还有一道把 形成了上述层间绝缘膜的半导体基片在500℃以下的温度下加 热，以将上述层间绝缘膜内部的水分除去的工序。
15.如权利要求9的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第3道工序和上述第4道工序之间还有一道把形成了 上述层间绝缘膜的半导体基片在500℃以下的温度以下加热，将 上述层间绝缘膜内部的水分除去的工序。
16.如权利要求9的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第2道工序中采用CVD法将有机硅烷系列材料淀积 在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上，从而形成层间绝 缘膜的工序。
17.如权利要求9的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第2道工序中采用液体涂布法将硅烷醇系列材料涂布 在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上，从而形成层间绝 缘膜的工序。
18.多层金属布线的形成方法，其特征是包括：
在半导体基片上用由铝或铝合金形成的第一层金属布线的第 1道工序、
在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上在500℃以下 的温度下形成层间绝缘膜的第2道工序、
在上述500℃以下的温度下形成的层间绝缘膜上形成具有憎 水性的第1分子层的第3道工序、
将形成了上述第1分子层的层间绝缘膜，经过刻蚀形成所要 求形状的第4道工序、
在上述经过刻蚀的层间绝缘膜上形成具有憎水性的第2分子 层的第5道工序、以及
在上述第2分子层上形成第二层金属布线的第6道工序。
19.如权利要求18的多层金属布线的形成方法，其中：
上述第1分子层及第2分子层采用界面活性剂形成。
20.如权利要求19的多层金属布线的形成方法，其中：
上述界面活性剂含有硅或锗。
21.如权利要求19的多层金属布线的形成方法，其中：
上述界面活性剂是：硅烷化合物、硅氧烷化合物、二硅氮烷化 合物、三硅氮烷化合物、哌嗪化合物、氨基锗化合物、或卤化锗化合 物。
22.如权利要求19的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第2道工序中采用CVD法将有机硅烷系列材料淀积 在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上，从而形成层间绝 缘膜的工序。
23.如权利要求19的多层金属布线的形成方法，其中：
在上述第2道工序中采用液体涂布法将硅烷醇系列材料涂布 在形成了上述第一层金属布线的半导体基片上，从而形成层间绝 缘膜的工序。

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