半导体器件

1.半导体器件，包含：
(a)第一绝缘膜，沉积在半导体衬底上；
(b)互连开口部分，形成在第一绝缘膜中；
(c)互连，置于互连开口部分中；以及
(d)第二绝缘膜，沉积在第一绝缘膜和互连上，
所述互连具有：
第一导电膜，形成在互连开口部分中；
第二导电膜，由化学气相沉积或ALD通过第一导电膜形成在互 连开口部分中，由钛硅氮、钽硅氮、氮化钽和氮化钛中的任意一种组 成；
第三导电膜，通过第一和第二导电膜形成在互连开口部分中，由 具有和铜的优良粘合性的材料组成；以及
第四导电膜，通过第一、第二和第三导电膜形成在互连开口部分 中，主要成分为铜。
2.半导体器件，包含：
(a)第一绝缘膜，沉积在半导体衬底上，介电常数小于氧化硅；
(b)互连开口部分，形成在第一绝缘膜中；
(c)互连，置于互连开口部分中；以及
(d)第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜和互连上，
所述互连具有：
第一导电膜，形成在互连开口部分中；
第二导电膜，由化学气相沉积或ALD通过第一导电膜形成在互 连开口部分中，由钛硅氮、钽硅氮、氮化钽和氮化钛中的任意一种组 成；以及第四导电膜，通过第一和第二导电膜形成在互连开口部分中，主 要成分为铜。
3.根据权利要求1的半导体器件，其中第三导电膜具有阻挡铜扩 散的特性。
4.根据权利要求1的半导体器件，其中第三导电膜由下列任何一 种组成：钽、钛、氮化钽、氮化钛、钽和氮化钽的叠层膜，以及钛和 氮化钛的叠层膜。
5.根据权利要求1的半导体器件，其中第一导电膜由具有和第一 绝缘膜的优良粘合性的材料组成。
6.根据权利要求1的半导体器件，其中第三导电膜由具有和铜的 优良粘合性的材料组成。
7.根据权利要求1的半导体器件，其中第二导电膜具有阻挡铜扩 散的特性。
8.根据权利要求1的半导体器件，其中第一导电膜由下列任何一 种组成：钽、钛、氮化钽、氮化钛、钽和氮化钽的叠层膜，以及钛和 氮化钛的叠层膜。
9.根据权利要求1的半导体器件，其中第一绝缘膜的介电常数低 于氧化硅的介电常数。
10.半导体器件，包含：
(a)第一绝缘膜，沉积在半导体衬底上；
(b)互连开口部分，形成在第一绝缘膜中；
(c)互连，置于互连开口部分中；以及
(d)第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜和互连上，
所述互连具有：
第二导电膜，由化学气相沉积或ALD形成在互连开口部分中， 由钛硅氮、钽硅氮、氮化钽和氮化钛中的任意一种组成；
第三导电膜，通过第二导电膜形成在互连开口部分中，由具有和 铜的优良粘合性的材料组成；以及
第四导电膜，通过第二和第三导电膜形成在互连开口部分中，主 要成分为铜。
11.根据权利要求10的半导体器件，其中第三导电膜具有阻挡铜 扩散的特性。
12.根据权利要求1的半导体器件，其中第三导电膜由下列任何 一种组成：钽、钛、氮化钽、氮化钛、钽和氮化钽的叠层膜，以及钛 和氮化钛的叠层膜。
13.根据权利要求1的半导体器件，其中互连被形成为具有镶嵌 结构。
14.半导体器件，在半导体衬底上具有一级互连，
该一级互连包含：
主导电膜，由铜组成或主要由铜组成；
第一导电膜，形成在主导电膜的侧表面和底表面上；以及
第二导电膜，通过第一导电膜形成在主导电膜的侧表面和底表面 上，
其中第一导电膜与主导电膜的粘合性比第二导电膜与主导电膜 的粘合性高，以及
其中第二导电膜阻挡铜扩散的特性比第一导电膜高。
15.根据权利要求14的半导体器件，其中第二导电膜由化学气相 沉积或ALD来形成，而第一导电膜由溅射来形成。
16.根据权利要求13的半导体器件，其中形成在主导电膜侧表面 上的第一导电膜的厚度大于形成在主导电膜底表面上的第一导电膜的 厚度。
17.根据权利要求14的半导体器件，进一步包含通过第一导电膜 和第二导电膜形成在主导电膜侧表面和底表面上的第三导电膜，其中第三导电膜与主导电膜的粘合性高于第二导电膜与主导电 膜的粘合性。
18.根据权利要求14的半导体器件，其中构成第二导电膜的元素 数大于构成第一导电膜的元素数。
19.根据权利要求14的半导体器件，
其中第二导电膜由钛硅氮、钽硅氮、氮化钽和氮化钛中的任意一 种组成，以及
其中第一导电膜由下列任何一种组成：钽、钛、氮化钽、氮化钛、 钽和氮化钽的叠层膜，以及钛和氮化钛的叠层膜。
20.根据权利要求2的半导体器件，
其中第一导电膜与主导电膜的粘合性高于第二导电膜与主导电 膜的粘合性，以及
其中第二导电膜阻挡铜扩散的特性高于第一导电膜。
21.根据权利要求2的半导体器件，其中第一导电膜由溅射来形 成。

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