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半导体结构及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910001721.3
IPC分类号：H01L23/522;H01L21/768
申请日期：
2009-01-06
申请人：
国际商业机器公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构及其制作方法
申请号	CN200910001721.3	申请日期	2009-01-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-15	公开/公告号	CN101483172
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国纽约变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯公司,格芯美国第二有限责任公司	当前权利人	格芯公司,格芯美国第二有限责任公司
发明人	杨智超;许履尘;拉齐夫·V·约什
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	申发振

摘要

本发明涉及改进的半导体结构及其制作方法，使得在相同的绝缘层内，嵌在相同的绝缘层级内的Cu互连具有与嵌在相同的绝缘层级内的其它Cu互连不同的Cu粒度。

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