不连续式氮化物只读存储器的存储单元的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02116179.8
IPC分类号：--
申请日期：
2002-04-22
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	不连续式氮化物只读存储器的存储单元的制造方法
申请号	CN02116179.8	申请日期	2002-04-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-11-05	公开/公告号	CN1453856
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	赖二琨;刘建宏;黄守伟;黄宇萍
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	陈红;楼仙英

摘要

一种以自对准工艺制造不连续式氮化物只读存储器的存储单元的方法。首先，提供基板并形成ONO层于基板上，ONO层具有上氧化物层、氮化物层及下氧化物层。接着，定义上氧化物层，然后，定义数个可弃式间隔物。接着，以自对准工艺植入存储单元区块或内埋位线，然后，根据这些可弃式间隔物定义氮化物层。接着，根据不连续的氮化物层定义下氧化物层，用以形成不连续的数个柱状物，使得两个不连续柱状物之间形成沟道。然后，形成数个沟道氧化物于这些沟道中，接着，形成氧化物层于这些不连续的沟道氧化物上及氮化物层上。本发明可以解决电子被诱捕进入氮化物层的难题，并确实地控制植入物及ONO层的共有位置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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