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具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610971550.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336
  • 申请日期:
    2016-10-28
  • 申请人:
    沈阳工业大学
著录项信息
专利名称具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管
申请号CN201610971550.7申请日期2016-10-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2017-05-10公开/公告号CN106653853A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人沈阳工业大学申请人地址
安徽省安庆市宿松县千岭乡九庙村宿松新驱光电科技有限公司 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宿松新驱光电科技有限公司当前权利人宿松新驱光电科技有限公司
发明人刘溪;杨光锐;靳晓诗
代理机构沈阳智龙专利事务所(普通合伙)代理人周楠;宋铁军
摘要
本发明涉及一种具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管,包括SOI晶圆的硅衬底,SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的绝缘层,SOI晶圆的绝缘层上方为单晶硅,单晶硅的表面上附有栅介质绝缘层,栅介质绝缘层表面附有折叠I形栅电极,栅电极紧贴栅介质绝缘层;单晶硅上表面的两端分别为源电极和漏电极,相邻单晶硅之间以及源电极和漏电极之间由绝缘介质层隔离开;将附在单晶硅上表面靠近两端的绝缘介质层刻蚀掉后形成的通孔中注入金属分别生成源电极和漏电极。在保持正向特性几乎不受影响的情况下具有低反向泄漏电流的特性,因而降低了器件的功耗,适合推广应用。

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