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一种调控纳米光栅光轴三维方向的方法、系统及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010595903.4
  • IPC分类号:B23K26/00;B23K26/70;G02B5/18;G02B27/09;G02B27/28
  • 申请日期:
    2020-06-28
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称一种调控纳米光栅光轴三维方向的方法、系统及应用
申请号CN202010595903.4申请日期2020-06-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-10-20公开/公告号CN111790980A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B23K26/00IPC分类号B;2;3;K;2;6;/;0;0;;;B;2;3;K;2;6;/;7;0;;;G;0;2;B;5;/;1;8;;;G;0;2;B;2;7;/;0;9;;;G;0;2;B;2;7;/;2;8查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人张静宇;高骥超;刘思垣
代理机构华中科技大学专利中心代理人李智
摘要
本发明公开了一种调控纳米光栅光轴三维方向的方法、系统及应用,属于激光加工领域,方法包括:根据目标三维方向确定纳米光栅光轴在垂直于激光入射方向的平面Sv内的旋转角θv,以及在平行于激光入射方向的平面Sp内的旋转角θp;根据旋转角θv调整入射的激光光束的偏振方向,并根据旋转角θp改变激光光束的光强分布,得到加工光束;加工光束在聚焦前、后的偏振状态不同;将加工光束聚焦于熔融石英以写入纳米光栅,使得加工得到的纳米光栅的光轴在平面Sv和平面Sp内的旋转角分别为θv和θp。本发明能够实现对熔融石英中纳米光栅光轴三维方向的调控,提高光存储的容量。

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