一种大功率LED封装结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201110169074.4
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/52;H01L33/64;H01L33/62
申请日期：
2011-06-22
申请人：
浙江英特来光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种大功率LED封装结构
申请号	CN201110169074.4	申请日期	2011-06-22
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-18	公开/公告号	CN102324456A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人	浙江英特来光电科技有限公司	申请人地址	浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福西路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江英特来光电科技有限公司	当前权利人	浙江英特来光电科技有限公司
发明人	李革胜
代理机构	杭州杭诚专利事务所有限公司	代理人	尉伟敏

摘要

本发明涉及一种大功率LED封装结构。主要是解决了传统的大功率LED容易吸水吸潮、与灌封胶粘结性不好、气密性差的技术问题。LED包括基座，在基座上设置有发光芯片，发光芯片上安装有灯罩，灯罩与基座相连，其特征在于：所述基座为印制电路板，在所述印制电路板上注塑形成有一层硅树脂层，硅树脂层与印制电路板、灯罩表面密封相接。本发明的优点是采用印制电路为基座，不易吸水吸潮，与灌封胶粘结性更好；采用硅树脂注塑成型方式，保证了大功率LED的气密性；该封装结构LED可以过回流焊，提高了生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN101017815A	2007-08-15	2006-02-06	二合一发光二极管封装结构无效专利	亿光电子工业股份有限公司
2	TW448588B	暂无	2000-01-07	側面發光型LED燈失效专利	光波股份有限公司
3	CN1417868A	2003-05-14	2001-10-29	发光二极管芯片的多芯片封装结构无效专利	银河光电股份有限公司
4	CN101621092A	2010-01-06	2008-07-01	一种发光二极管有效专利	深圳市九洲光电子有限公司

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN103824926A	2014-03-05	2014-03-05	一种多芯片LED封装体的制作方法有效专利	中国科学院半导体研究所
2	CN103822118A	2014-01-28	2014-01-28	透光LED防水灯组及制作方法实质审查	徐松炎
3	CN103824926B	2014-03-05	2014-03-05	一种多芯片LED封装体的制作方法有效专利	中国科学院半导体研究所

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