首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

测试结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320879310.6
IPC分类号：H01L23/544
申请日期：
2013-12-27
申请人：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	测试结构
申请号	CN201320879310.6	申请日期	2013-12-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	康芸
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅;李时云

摘要

本实用新型提出了一种测试结构，包括至少一个PMOS和NMOS，PMOS和NMOS紧靠成对排列，PMOS和NMOS均设有源极、漏极、栅极和有源区。测试结构包括紧贴成对排列的NMOS和PMOS，通过对NMOS和PMOS的检测，能够检测出NMOS和PMOS两者之间的相互影响，全面的监测NMOS和PMOS的性能，有效的提高检测的准确性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供