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离子植入波束角校准

发明专利有效专利

申请号：
CN200680044826.1
IPC分类号：H01J37/304;H01J37/317
申请日期：
2006-11-17
申请人：
艾克塞利斯技术公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	离子植入波束角校准
申请号	CN200680044826.1	申请日期	2006-11-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-03	公开/公告号	CN101317245
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/30 物体局部处理用的电子束管或离子束管 H01J37/304 由来自物体的信息控制电子管的，如校正信号〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;0;4;;;H;0;1;J;3;7;/;3;1;7查看分类表>
申请人	艾克塞利斯技术公司	申请人地址	美国马萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾克塞利斯技术公司	当前权利人	艾克塞利斯技术公司
发明人	R·雷斯梅尔;D·卡门尼塞
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张雪梅;张志醒

摘要

本发明的一个或更多个方面是关于确定介于离子束和欲由该离子束选择性地植入离子至其中的工件的晶格结构之间的相对方位，以及按照该相对方位来校准离子植入系统。至少部分地通过导引发散离子束于工件上并寻找基本平行于该工件的晶体平面植入离子的该发散束的方面的角度来确定该波束至晶格结构方位，因此对该晶格结构造成小量损害。

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