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一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710933312.1
  • IPC分类号:C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58
  • 申请日期:
    2017-10-10
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
申请号CN201710933312.1申请日期2017-10-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-03-16公开/公告号CN107805779A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/06IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省南京市玄武区四牌楼2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人徐庆宇;张昊;马眉扬;王宏;董帅
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)代理人柏尚春
摘要
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为:先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材,再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术:调整激光能量和基底温度,通过激光脉冲数控制薄膜厚度,真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜,可实现均匀大面积薄膜的便捷制备,易于有效控制薄膜厚度并且节约材料,有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。

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