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二氧化锆/多孔聚苯胺修饰电极的制备方法及其应用

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410187732.6
  • IPC分类号:G01N27/30;G01N27/48
  • 申请日期:
    2014-05-06
  • 申请人:
    西北师范大学
著录项信息
专利名称二氧化锆/多孔聚苯胺修饰电极的制备方法及其应用
申请号CN201410187732.6申请日期2014-05-06
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-12-24公开/公告号CN104237343A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/30IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;3;0;;;G;0;1;N;2;7;/;4;8查看分类表>
申请人西北师范大学申请人地址
甘肃省兰州市安宁区安宁东路967号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西北师范大学当前权利人西北师范大学
发明人卢小泉;王永兰;毕青;袁彩霞;张帆;马琳琳
代理机构北京中恒高博知识产权代理有限公司代理人夏晏平
摘要
本发明公开了一种二氧化锆/多孔聚苯胺修饰电极的制备方法,1)在处理干净的玻碳电极上滴涂一层二氧化硅微球,室温下晾干;2)将步骤1)修饰的电极浸在0.25M苯胺和0.6M硫酸溶液中,电聚合一层聚苯胺薄膜;3)将步骤2)修饰的电极浸在5%的HF溶液中刻蚀45分钟,用大量的水冲洗;4)将步骤3)修饰的电极浸在5mMZrOCl2含0.1MKCl的溶液中,电沉积一层ZrO2纳米粒子,用水冲洗,即得二氧化锆/多孔聚苯胺修饰的电极。本发明用电聚合、电沉积的方法制备了二氧化锆/多孔聚苯胺修饰的电极,因此与其它方法相比,本发明制备二氧化锆/多孔聚苯胺修饰电极简单迅速而且经济有效。

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