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具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200580025327.3
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-06-24
  • 申请人:
    克里公司
著录项信息
专利名称具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构
申请号CN200580025327.3申请日期2005-06-24
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2007-07-25公开/公告号CN101006590
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人克里公司申请人地址
美国北卡罗来纳州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人克里公司当前权利人克里公司
发明人M·J·伯格曼;D·T·埃默森
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人刘红;梁永
摘要
本发明提供了Ⅲ族氮化物基发光器件和Ⅲ族氮化物基发光器件制作方法。该发光器件包括:n型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上并包括至少一个量子阱结构的Ⅲ族氮化物基有源区、该有源区上包含铟的Ⅲ族氮化物层、该包含铟的Ⅲ族氮化物层上包含铝的p型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上的第一接触、以及该p型Ⅲ族氮化物层上的第二接触。该包含铟的Ⅲ族氮化物层还包括铝。

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