半导体发光器件及其制造方法

发明公开失效专利

申请号：
CN201410190978.9
IPC分类号：H01L33/04; H01L33/06; B82Y20/00
申请日期：
2010-09-08
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体发光器件及其制造方法
申请号	CN201410190978.9	申请日期	2010-09-08
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-23	公开/公告号	CN103943743A
优先权	2010-050391 2010.03.08 JP	优先权号	JP20100050391
主分类号	H01L33/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;4;;; ;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;; ;B;8;2;Y;2;0;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	木村重哉; 名古肇; 岡俊行; 橘浩一; 彦坂年輝; 布上真也
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	贺月娇; 杨晓光

摘要

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

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