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高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910046841.5
  • IPC分类号:H01L33/00H01L21/205
  • 申请日期:
    2009-02-27
  • 申请人:
    上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学
著录项信息
专利名称高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法
申请号CN200910046841.5申请日期2009-02-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-07-22公开/公告号CN101488550
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H01L33/00;H01L21/205查看分类表>
申请人上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区芳春路4*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海蓝光科技有限公司,彩虹集团公司,北京大学当前权利人上海蓝光科技有限公司,彩虹集团公司,北京大学
发明人潘尧波;郝茂盛;张国义;颜建锋;周健华
代理机构上海光华专利事务所代理人余明伟
摘要
本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法,包括一下步骤:步骤1、在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底,然后降温生长GaN成核层,接着在高温下生长GaN缓冲层;步骤2、降低温度,在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1-xN/GaN量子阱,接着生长1至6个InyGa1-yN/GaN量子阱,再生长4至15个InzGa1-zN/GaN量子阱;步骤3、在高温下,再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量,较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷,提高LED的开启电压。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供