间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构及制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410581877.4
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00
申请日期：
2014-10-27
申请人：
苏州新纳晶光电有限公司

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专利名称	间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构及制作方法
申请号	CN201410581877.4	申请日期	2014-10-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-28	公开/公告号	CN104319321A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州新纳晶光电有限公司	申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州新纳晶光电有限公司	当前权利人	苏州新纳晶光电有限公司
发明人	南琦;王怀兵;王辉;吴岳;傅华
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	陆明耀;陈忠辉

摘要

本发明揭示了一种间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构的制作方法，包括如下步骤：准备一衬底，在氢气气氛下高温处理衬底；在处理好的衬底表面依次生长缓冲层、n‑GaN层；在n‑GaN层上周期性生长MQW有源层；在MQW有源层上依次生长p‑GaN及P型接触层；所述MQW有源层由至少两个多量子阱层组成，每个所述多量子阱层由InGaN量子阱层、GaN保护层及GaN量子垒层构成，且每个多量子阱中的各层均在同温下生长。本发明经过这中间的间隔退火处理，其晶面取向更为统一，晶格质量更高；得到高质量的量子阱结构层，发光效率提高10%以上，节省了大量原有在多量子阱层中升降温时间，产能提升明显；使低温GaN材料的表面平滑化，从而实现垒的均匀二维生长，得到高质量的多量子阱材料。

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