同时生长多种掺杂CaF2晶体的装置及基于该装置的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610962756.3
IPC分类号：C30B15/34;C30B29/12
申请日期：
2016-10-28
申请人：
同济大学

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专利名称	同时生长多种掺杂CaF2晶体的装置及基于该装置的制备方法
申请号	CN201610962756.3	申请日期	2016-10-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-15	公开/公告号	CN106498488A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/34 使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;3;4;;;C;3;0;B;2;9;/;1;2查看分类表>
申请人	同济大学	申请人地址	上海市杨浦区四平路1239号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	同济大学	当前权利人	同济大学
发明人	王庆国;徐军;罗平;吴锋;唐慧丽;刘军芳;刘斌;王东海
代理机构	上海科盛知识产权代理有限公司	代理人	赵志远

摘要

本发明涉及同时生长多种掺杂CaF2晶体的装置及基于该装置的制备方法，装置包括托盘、保温筒、感应线圈、由下而上依次设置在保温筒中的底部保温层、坩埚、生长模具单元、籽晶以及籽晶杆，籽晶固定在籽晶杆底端，并通过籽晶杆可上下移动地设置在生长模具单元的正上方，坩埚中布设有多个相互平行排列的坩埚隔板，坩埚隔板将坩埚的内腔分隔成多个相互独立且互不相通的晶体生长区间，生长模具单元包括多个分别与晶体生长区间一一对应设置的晶体生长模具。与现有技术相比，本发明生长成本低，生长周期短，多种掺杂浓度同时生长，适用其他多种氟化物晶体，惰性气体保护生长，无氧杂质，生长过程可见可控，晶体质量高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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