MOS晶体管有效沟道长度测试结构及测试方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210477015.8
IPC分类号：H01L23/544;G01B7/02
申请日期：
2012-11-22
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	MOS晶体管有效沟道长度测试结构及测试方法
申请号	CN201210477015.8	申请日期	2012-11-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-27	公开/公告号	CN102945841A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;G;0;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	郭奥
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;林彦之

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种MOS晶体管有效沟道长度测试结构和测试方法，通过对掺杂条件完全相同的PN结第一测试单元和MOS晶体管第二测试单元的结电容测量，准确提取MOS晶体管有源区掺杂的横向扩散长度，进而准确测量MOS晶体管的有效沟道长度。此外，本发明提供的测试结构中MOS晶体管有源区采用LDD工艺实现，其有源区中仅位于接触通孔下方的区域为重掺杂区域，降低了重掺杂区对LDD横向扩散长度测量的影响，使得测量结果更为准确。本发明提供的测试结构及测试方法对MOS晶体管特征尺寸没有特定的依赖性，能够实现对小尺寸MOS晶体管有效沟道长度的高精度测试。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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