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降低应力迁移的多重金属内连线布局

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200420118360.3
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2004-10-13
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称降低应力迁移的多重金属内连线布局
申请号CN200420118360.3申请日期2004-10-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人范淑贞;胡顶达
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人王燕秋
摘要
一种降低应力迁移(Stress Migration)的多重金属内连线(Multilevel Interconnects)布局,其可在大面积金属层上加入扩散阻障(Diffusion Block)或孔洞槽(Vacancy Sink),以避免微小孔洞因热应力聚集而导致电路产生断路。也可在大面积金属层与小面积金属突出部之间以渐缩方式进行连接,以减低两者的热应力差异。或者,增加小面积金属突出部的介层窗的数量,以增加对热应力迁移的抵抗能力。

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