一种三轴磁传感器的转向差校正方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910821542.8
IPC分类号：G01R35/00
申请日期：
2019-09-02
申请人：
杭州电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种三轴磁传感器的转向差校正方法
申请号	CN201910821542.8	申请日期	2019-09-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-12-17	公开/公告号	CN110579730A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R35/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R35/00 包含在本小类其他组中的仪器的测试或校准〔2〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	杭州电子科技大学	申请人地址	浙江省杭州市下沙高教园区2号大街1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州电子科技大学	当前权利人	杭州电子科技大学
发明人	章雪挺;李崇贝;何欢;黄浩楠;廖章锦;徐航
代理机构	浙江永鼎律师事务所	代理人	陆永强

摘要

本发明公开了三轴磁传感器的转向差校正方法，包括以下步骤，S10，选择一片空旷且没周围没有磁性物质的区域，在一个固定点上，转动磁传感器，并采集磁传感器所得到三轴磁场数值Hx，Hy，Hz；S20，设X'Y'Z'轴为磁传感器的实际坐标轴，XYZ轴为标准坐标轴，构建地磁场矢量的测量输出模型；S30，构造神经网络辨识系统，采用迭代原理更新误差参数，从而得到误差参数的各个估计值；S40，利用误差参数，计算补偿后的磁传感器数据。本发明适用性广，且不要求巨大的数据量，对参数估计的精度更高，减少转向差的效果较好，有效提高了测量磁场值时的准确度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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