一种可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920910699.3
IPC分类号：C01B3/04;H01G9/20
申请日期：
2019-06-17
申请人：
苏州大学

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著录项信息

专利名称	一种可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系
申请号	CN201920910699.3	申请日期	2019-06-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B3/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B3/00 氢；含氢混合气；从含氢混合气中分离氢；氢的净化（用固体碳质物料生产水煤气或合成气入C10J）〔3〕 C01B3/02 氢或含氢混合气的生产〔3〕 C01B3/04 用无机化合物，如氨的分解法〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;/;0;4;;;H;0;1;G;9;/;2;0查看分类表>
申请人	苏州大学	申请人地址	江苏省苏州市相城区济学路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州大学	当前权利人	苏州大学
发明人	吴绍龙;肖臣鸿;周忠源;李刘晶;丁浩;李孝峰
代理机构	苏州智品专利代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本实用新型属光电转换与新能源领域，为解决现有技术中氧化铁光阳极不能实现完全光解水的技术问题，提出可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系，包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层；所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结；硅pn结的形貌为金字塔阵列结构；p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层。内嵌硅pn结使得硅层吸收入射光时产生较大的光电压，此光电压将与氧化铁吸收层形成串联关系，相当于外加了此大小的电压于氧化铁层，将有效降低氧化铁光阳极的开启电压，提高了氧化铁吸收层的导电率及其光生载流子的收集效率，从而实现了完全光解水。

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