制造横向掺杂沟道的方法和半导体单元的阵列发明专利
申请号：CN03825407.7
LOC分类号:H01L27/115
IPC结构图谱：
- G物理
- G0仪器
- G05控制；调节
- G05F调节电变量或磁变量的系统（调节雷达或无线电导航系统中脉冲计时或脉冲重复频率的入G01S；专用于电子计时器中电流或电压的调节入G04G 19/02；用电装置调节非电变量的闭环系统入G05D；数字计算机的调节电源入G06F1/26；用于得到有衔铁时的所需电磁铁工作特性入H01F 7/18；调节电功率的配电网络入H02J；调节电池充电的入H02J 7/00；静态变换器输出的调节，例如开关式调节器入H02M；电发生器输出的调节入H02N，H02P 9/00；变压器、电抗器、或扼流圈的控制入H02P 13/00；调节放大器的频率响应、增益、最大输出、振幅或带宽的入H03G；调节谐振电路调谐的入H03J；控制电子振荡器或脉冲发生器的入H03L；调节传输线路特性的入H04B；控制电光源的入H05B 37/02，H05B 39/04，H05B 41/36；X射线设备的电气控制入H05G 1/30）〔4，5〕
- G05F1/00从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
- G05F1/10调节电压或电流（G05F 1/02优先；用于电气铁路的入B60M 3/02）
- G05F1/46其中由末级控制器实际调节的变量是直流的（G05F 1/625优先）〔4〕
- G05F1/56利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
