制造横向掺杂沟道的方法和半导体单元的阵列

发明专利有效专利

申请号：
CN03825407.7
IPC分类号：H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/10
申请日期：
2003-07-10
申请人：
先进微装置公司

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著录项信息

专利名称	制造横向掺杂沟道的方法和半导体单元的阵列
申请号	CN03825407.7	申请日期	2003-07-10
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2005-11-23	公开/公告号	CN1701444
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0查看分类表>
申请人	先进微装置公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	赛普拉斯半导体公司	当前权利人	赛普拉斯半导体公司
发明人	N－C·翁;T·图盖特;S·S·哈达德
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	戈泊;程伟

摘要

本发明披露了一种横向掺杂沟道，特别是在半导体内存单元的MOSFET中。将第一掺杂材料(210)大致垂直地植入于邻近一栅极结构的区域(220)内。扩散制造过程将第一掺杂材料扩散到该栅极结构下面的沟道区域内。将第二掺杂材料(240)大致垂直地植入于邻近栅极结构的区域(220)内。第二植入形成源极/漏极区域(250)并且可能终止该沟道区域。该沟道区域于是包含横向非均匀掺杂轮廓，该轮廓有利地减轻该短沟道效应并且高度地补偿在沟道长度中的制造过程变化。内存单元可为浮动栅极或氮化物(SONOS)非易失性内存。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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