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一种LVDT正弦激励信号生成电路

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510232326.1
  • IPC分类号:G01B7/02
  • 申请日期:
    2015-05-08
  • 申请人:
    上海工程技术大学
著录项信息
专利名称一种LVDT正弦激励信号生成电路
申请号CN201510232326.1申请日期2015-05-08
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2015-07-29公开/公告号CN104807392A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01B7/02IPC分类号G;0;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人上海工程技术大学申请人地址
上海市松江区龙腾路333号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海工程技术大学当前权利人上海工程技术大学
发明人李荣正;戴国银;陈学军
代理机构上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙)代理人章蔚强
摘要
本发明公开了一种LVDT正弦激励信号生成电路,包括全差分衰减放大器芯片、单刀双掷开关、初级线圈、第一次级线圈、第二次级线圈、滤波电容、增益电阻、增益电位器和仪表放大器芯片,其中全差分衰减放大器芯片包括第一至第九引脚,第九引脚、第八引脚与所述单刀双掷开关连接;第五引脚与初级线圈的同名端连接;第六引脚与初级线圈的非同名端连接;仪表放大器芯片包括第十一至第十八引脚,第十二引脚与所述第二次级线圈的同名端连接;第十三引脚与第一次级线圈的同名端连接,其技术效果是:提高LVDT正弦波激励信号的驱动能力,抑制共模噪声,提高共模抑制比,增强性能,减小体积。

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