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氮/氧共掺杂多孔碳纳米带的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910877754.8
  • IPC分类号:H01G11/26;H01G11/36;H01G11/86
  • 申请日期:
    2019-09-17
  • 申请人:
    黑龙江省科学院高技术研究院
著录项信息
专利名称氮/氧共掺杂多孔碳纳米带的制备方法
申请号CN201910877754.8申请日期2019-09-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-12-13公开/公告号CN110571062A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/26IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;2;6;;;H;0;1;G;1;1;/;3;6;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人黑龙江省科学院高技术研究院申请人地址
黑龙江省哈尔滨市道外区南马路135号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人黑龙江省科学院高技术研究院当前权利人黑龙江省科学院高技术研究院
发明人马宇良;阚侃;王珏;张晓臣;张伟君
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人岳泉清
摘要
氮/氧共掺杂多孔碳纳米带的制备方法,涉及一种多孔碳纳米带的制备方法。目的是解决碳材料缺少孔结构导致的作为超级电容器电极材料时比电容低的问题。方法:以聚吡咯为碳源和氮源,采用原位模板聚合法制备聚吡咯前驱体,再对聚吡咯前驱体进行活化煅烧,得到具有多级孔结构的三维杂原子掺杂碳材料,即氮/氧共掺杂多孔碳纳米带。本发明制备的多孔碳纳米带为多孔结构,有利于电解液的渗入和电解液离子传输,因此作为超级电容器电极材料具有较好的比电容。并且氮/氧共掺杂多孔碳纳米带中大部分纳米带呈卷曲状,这有利于比表面积的增大。本发明适用于制备多孔碳纳米带。

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